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MMDT5551-7-F中文资料

MMDT5551-7-F图片

MMDT5551-7-F外观图

  • 大小：78.34KB
  • 厂家：DIODES
  • 描述：Diodes Incorporated [DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR]
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列：-
  • 晶体管类型：2 NPN（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：160V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：200mV @ 5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：80 @ 10mA，5V
  • 功率 - 最大：200mW
  • 频率 - 转换：300MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装：SOT-363
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MMDT5551-FDITR

MMDT5551-7-F供应商

更新时间:2023-01-02 01:03:18
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MC3335PMC33078DRMBRS1100T3GMC7808CTMMBZ5237BLT1GMT29F1G08ABADAWP:DMC33072ADR2GMAX3485EESA+TMBRS140LT3GMBRA140T3G

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